长连接功耗测试

测试环境

• SDK：PT3220 SDK，ble6_lite.lib
• 测试硬件：E3220-V01 开发板
• 测试工具：nRF Power Profiler Kit II（PPK2）
• 电源：nRF Power Profiler Kit II（PPK2）3.3V 供电

注意

测试固件未针对所有场景进行仔细优化，测试结果仅供参考

测试方法

1. PPK2 通过以下接线方式给 E3220 开发板供电。
2. 将开发板与测试 dongle 建立连接，随后更新连接参数（interval=20ms, latency=49），当开发板处于待机状态时，使用 PPK2 上位机抓取开发板电流波形和功耗数据。

测试项目

1. 长连接状态不同发射功率在 coresleep 休眠模式下的电流测试
2. 长连接状态不同发射功率在 poweroff 休眠模式下的电流测试

本次测试默认条件：

1. 16M 主频
2. 3.3V 供电
3. 连接参数：interval=20ms，latency=49，即 1s 的连接间隔。
4. 使用 ble lite 库

测试变量如下：

1. 发射功率：2.1dBm（Default）、5.2dBm（最大）
2. 低功耗模式：coresleep、poweroff

备注

1. 由于资源限制，目前仅 lite 库支持 poweroff 休眠模式
2. 标准库使用 coresleep 休眠模式，与 lite 库结果相近

测试结果

长连接状态下待机时，空口包电流波形可分为以下阶段：

• T1：lowpower stage
• T2：mcu system init
• T3：BRX
• T4：TX
• T5：ready into lowpower stage

POWEROFF

T1 阶段 poweroff 平均电流由 VDD12 电容容值决定，电容越大，芯片掉电持续时间越长，平均电流越大。E3220 开发板 VDD12 电容容值默认为 100nF，本次测试为 10nF。

• 100nF 1s 休眠平均电流为 3.4uA
• 10nF 1s 休眠平均电流为 2.37uA

POWEROFF & 2.1dBm

• 工作电流

  工作阶段	持续时间	平均电流
  T1 (poweroff)	988.6ms	2.37uA
  T2 (system init)	7.04ms	2.75mA
  T3 (BRX)	1.34ms	11.89mA
  T4 (TX)	250us	9.01mA
  T5 (ready into poweroff)	2.57ms	3.66mA
  T2~T5	11.23ms	4.19mA
  T1~T5	1s	49.16uA

• 3s 平均电流：46.93uA

POWEROFF & 5.2dBm

• 工作电流

  工作阶段	持续时间	平均电流
  T1 (poweroff)	988.8ms	2.37uA
  T2 (system init)	7.06ms	2.76mA
  T3 (BRX)	1.15ms	11.32mA
  T4 (TX)	270us	11.42mA
  T5 (ready into poweroff)	2.62ms	3.63mA
  T2~T5	11.15ms	4.06mA
  T1~T5	1s	47.67uA

• 3s 平均电流：45.93uA

CORESLEEP

coresleep 休眠期间电流波形相对平缓

CORESLEEP & 2.1dBm

• 工作电流

  工作阶段	持续时间	平均电流
  T1 (coresleep)	994.1ms	59.35uA
  T2 (system init)	3.51ms	2.41mA
  T3 (BRX)	930us	12.26mA
  T4 (TX)	260us	9.54mA
  T5 (ready into coresleep)	1.07ms	3.18mA
  T2~T5	5.77ms	4.46mA
  T1~T5	1s	84.76uA

• 3s 平均电流：81.84uA

CORESLEEP & 5.2dBm

• 工作电流

  工作阶段	持续时间	平均电流
  T1 (coresleep)	994.1ms	59.35uA
  T2 (system init)	3.54ms	2.44mA
  T3 (BRX)	470us	10.93mA
  T4 (TX)	300us	11.98mA
  T5 (ready into coresleep)	1.23ms	3.37mA
  T2~T5	5.54ms	3.88mA
  T1~T5	1s	80.60uA

• 3s 平均电流：80.92uA